SCT027H65G3AG

Номер запчасти
SCT027H65G3AG
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс Automotive
Квалификация AEC-Q101
Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Рассеиваемая мощность (максимальная) 300W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 60A (Tc)
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Устройство Корпус H2PAK-7
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 18V
Vgs (макс.) +18V, -5V
Vgs(th) (макс.) при Id 4.2V @ 5mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 39.3mOhm @ 30A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 48.6 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1277 pF @ 400 V

Спотовые товары:2560

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $16.75 USD $16.75
Общая сумма: USD $16.75

Cut Tape (CT)

Количество Стоимость единицы Цены
1 $16.75 $16.75
10 $12.17 $121.7
100 $11.4 $1140