SCT020H120G3AG
| Номер запчасти |
SCT020H120G3AG
|
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Прочие номера деталей | |
| Описание | SIC MOSFET |
| Правила | Лист данных |
Свойства продукта
| Статус детали | Active | |
|---|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) | |
| FET Особенности | - | |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Класс | Automotive | |
| Квалификация | AEC-Q101 | |
| Корпус | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 555W (Tc) | |
| Поставщик Устройство Корпус | H2PAK-7 | |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V, 18V | |
| Vgs (макс.) | +18V, -5V | |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.2V @ 2.3mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 121 nC @ 18 V | |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 50A, 18V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3465 pF @ 800 V |
Спотовые товары:1600
Отправить можно сразу
Bulk
| Количество | Стоимость единицы | Цены |
|---|---|---|
| 1000 | $13.71 | $13710 |
