SCT016H120G3AG

Номер запчасти
SCT016H120G3AG
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс Automotive
Квалификация AEC-Q101
Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 112A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 652W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус H2PAK-7
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 150 nC @ 18 V
Vgs(th) (макс.) при Id 4.2V @ 1mA
Vgs (макс.) +18V, -5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3623 pF @ 800 V

Спотовые товары:1637

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $25.84 USD $25.84
Общая сумма: USD $25.84

Cut Tape (CT)

Количество Стоимость единицы Цены
1 $25.84 $25.84
10 $18.68 $186.8
100 $18.67 $1867