TC6321T-V/9U
产品属性
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最大功率 | - |
| 配置 | N and P-Channel |
| 场效应晶体管特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| 封装 / 外壳 | 8-VDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 8-VDFN (6x5) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 200V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 110pF @ 25V, 200pF @ 25V |