IPG20N10S4L22AATMA1
产品属性
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 场效应晶体管特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerVDFN |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 100V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 22mOhm @ 17A, 10V |
| 安装类型 | Surface Mount, Wettable Flank |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 20A |
| 最大功率 | 60W |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.1V @ 25µA |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1755pF @ 25V |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-10 |