IMT65R50M2HXUMA1
产品属性
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerSFN |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 650V |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 5.6V @ 3.7mA |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 62mOhm @ 18.2A, 18V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 48.1A (Tc) |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 22nC @ 18V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 790pF @ 400V |
| 最大功率 | 237W (Tc) |