IDWD150G120C5XKSA1

零件编号:
IDWD150G120C5XKSA1
制造商:
Infineon Technologies
其它零件编号:
-
描述:
SIC DISCRETE
规格书:
PDF

产品属性

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
等级 -
认证 -
工作温度 - 结温 -55°C ~ 175°C
电压 - 直流反向(Vr)(最大值) 1200 V
封装 / 外壳 TO-247-2
技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 0 ns
正向电压 - 最大值 @ 测试电流 1.8 V @ 150 A
供应商器件封装 PG-TO247-2-U01
电流 - 平均整流值 (Io) 343A
反向漏电流 @ 反向电压 1.2 mA @ 1.2 kV
电容 @ 反向电压, 法拉 8485pF @ 1V, 100kHz