DF16MR12W1M1HFB67BPSA1

零件编号:
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
制造商:
Infineon Technologies
其它零件编号:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 1200V 25A
规格书:
-

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Chassis Mount
场效应晶体管特性 -
技术 -
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
最大功率 -
配置 2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 25A
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 32.3mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 5.15V @ 10mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 74nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2200pF @ 800V