CSD87503Q3E
产品属性
| 安装类型 | Surface Mount |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 电路类型 | Isolated |
| 电阻匹配比 | - |
| 应用领域 | - |
| 引脚数量 | 8 |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-VSON (3.3x3.3) |
| 电阻（欧姆） | 33 |
| 电阻数量 | 4 |
| 温度系数 | ±250ppm/°C |
| 公差 | ±1Ohm |
| 电阻比漂移 | 50ppm/°C |
| 尺寸/外形尺寸 | 0.784" L x 0.085" W (19.91mm x 2.16mm) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| 高度 - 安装后最大 | 0.250" (6.35mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.1V @ 250µA |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| 每单元功率 | 400mW |
| 最大功率 | 15.6W |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 13.5mOhm @ 6A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 17.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1020pF @ 15V |