CSD86336Q3DT
产品属性
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 25V |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerTDFN |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 最大功率 | 6W |
| 供应商器件封装 | 8-VSON (3.3x3.3) |
| 场效应晶体管特性 | Logic Level Gate, 5V Drive |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |