SCT055TO65G3

SCT055TO65G3 — электронный компонент STMicroelectronics, категория Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы. Характеристики: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650. Закупки и разработка

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
SCT055TO65G3
Производитель:
STMicroelectronics
Другие номера деталей:
-
Описание:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 30A (Tc)
Рабочая температура -65°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 234W (Tc)
Корпус 8-PowerSFN
Поставщик Устройство Корпус TOLL (HV)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 31 nC @ 18 V
Vgs(th) (макс.) при Id 4.2V @ 1mA
Vgs (макс.) +18V, -5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 72mOhm @ 15A, 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 687 pF @ 400 V