MV2N5115UB
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Мощность - Максимальная | 500 mW |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Класс | Military |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Корпус | 3-SMD, No Lead |
| Напряжение - Пробой (V(BR)GSS) | 30 V |
| Сопротивление - RDS(вкл) | 100 Ohms |
| Квалификация | MIL-PRF-19500 |
| Поставщик Устройство Корпус | UB |
| Напряжение отсечки (VGS off) @ Id | 3 V @ 1 nA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 25pF @ 15V |
| Ток стока (Idss) при Vds (Vgs=0) | 15 mA @ 15 V |