MSCDC50X1201AG
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| Корпус | Module |
| Ток - Средний выпрямленный (Io) | 50 A |
| Напряжение - пиковое обратное (макс.) | 1.2 kV |
| Тип диода | Three Phase |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Ток - Обратная утечка при Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If | 1.8 V @ 50 A |
| Технология | Silicon Carbide Schottky |