IRFHM8363TR2PBF

IRFHM8363TR2PBF — электронный компонент Infineon Technologies, категория FET, массивы MOSFET. Характеристики: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN. Закупки и разработка могут сверить марку и

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
IRFHM8363TR2PBF
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Спецификация:
-

Характеристики продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
FET Особенности Logic Level Gate
Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 15nC @ 10V
Корпус 8-PowerVDFN
Vgs(th) (макс.) при Id 2.35V @ 25µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 11A
Мощность - Максимальная 2.7W
Поставщик Устройство Корпус 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1165pF @ 10V