IRF7341TRPBFXTMA1

IRF7341TRPBFXTMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория FET, массивы MOSFET. Характеристики: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902. Закупки и разработка могут сверить м

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
IRF7341TRPBFXTMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 250µA
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
FET Особенности Logic Level Gate
Напряжение сток-исток (Vdss) 55V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4.7A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 36nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 740pF @ 25V
Мощность - Максимальная 2W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус PG-DSO-8-902