IPG20N10S4L35AATMA1
IPG20N10S4L35AATMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория FET, массивы MOSFET. Характеристики: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON. Закупки и разработка могут сверить м
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Особенности | Logic Level Gate |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 20A |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Мощность - Максимальная | 43W |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TDSON-8-10 |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.1V @ 16µA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1105pF @ 25V |