IMZA120R053M2HXKSA1

IMZA120R053M2HXKSA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы. Характеристики: IMZA120R053M2HXKSA1. Закупки и разработка мог

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
IMZA120R053M2HXKSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
IMZA120R053M2HXKSA1
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 38A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Корпус TO-247-4
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 182W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 18V
Vgs (макс.) +23V, -7V
Поставщик Устройство Корпус PG-TO247-4-8
Vgs(th) (макс.) при Id 5.1V @ 4.1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 30 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1010 pF @ 800 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 69mOhm @ 13A, 18V