ICPB2002-1-110I
ICPB2002-1-110I — электронный компонент Microchip Technology, категория RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы. Характеристики: DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT. Закупки и разработ
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ток (Амперы) | 1A |
| Конфигурация | - |
| Коэффициент шума | - |
| Корпус | Die |
| Поставщик Устройство Корпус | Die |
| Номинальное напряжение | 28 V |
| Коэффициент усиления | 10dB |
| Напряжение - Тест | 28 V |
| Мощность - Выход | 12W |
| Частота | 12GHz |
| Ток - Тест | 125 mA |
| Технология | GaN HEMT |