HSG1002VE-TL-E

HSG1002VE-TL-E — электронный компонент Renesas Electronics Corporation, категория Биполярные РЧ-транзисторы. Характеристики: RF TRANS NPN 3.5V 38GHZ 4-MFPAK. Закупки и разработка м

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
HSG1002VE-TL-E
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Другие номера деталей:
-
Описание:
RF TRANS NPN 3.5V 38GHZ 4-MFPAK
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN
Корпус 4-SMD, Gull Wing
Ток коллектора (Ic) (макс.) 35mA
Мощность - Максимальная 200mW
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 3.5V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 2V
Частота - Переход 38GHz
Коэффициент шума (дБ, тип. @ f) 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
Коэффициент усиления 8dB ~ 19.5dB
Поставщик Устройство Корпус 4-MFPAK