H5N2508DSTL-E
H5N2508DSTL-E — электронный компонент Renesas Electronics Corporation, категория Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы. Характеристики: NCH POWER MOSFET 250V 7A 630MOHM. Закупки
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Статус детали | Last Time Buy |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | 150°C |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V |
| Корпус | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.5V @ 1mA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 7A (Ta) |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 450 pF @ 25 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 30W (Tc) |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Поставщик Устройство Корпус | DPAK-3 |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 3.5A, 10V |