FF2MR12W3M1HB11BPSA1

FF2MR12W3M1HB11BPSA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория FET, массивы MOSFET. Характеристики: MOSFET 4N-CH 1200V AG-EASY3B. Закупки и разработка могут сверить

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
MOSFET 4N-CH 1200V AG-EASY3B
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Chassis Mount
FET Особенности -
Корпус Module
Мощность - Максимальная -
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
Технология Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
Поставщик Устройство Корпус AG-EASY3B
Vgs(th) (макс.) при Id 5.15V @ 224mA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 400A (Tj)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.27mOhm @ 400A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1600nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 48400pF @ 800V