F435MR07W1D7S8B11ABPSA1

F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория FET, массивы MOSFET. Характеристики: MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE. Закупки и разработка могут свери

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
Спецификация:
-

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Chassis Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Максимальная -
Поставщик Устройство Корпус Module
Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 35A
Напряжение сток-исток (Vdss) 650V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 39.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 4.45V @ 1.74mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 141nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6950pF @ 400V