F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
Характеристики продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Мощность - Максимальная | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 65A |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Конфигурация | 4 N-Channel |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6600pF @ 800V |
| FET Особенности | Silicon Carbide (SiC) |