DF23MR12W1M1B11BOMA1

DF23MR12W1M1B11BOMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория FET, массивы MOSFET. Характеристики: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2. Закупки и разработка могут свери

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Chassis Mount
FET Особенности -
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Максимальная -
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Технология Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 25A
Поставщик Устройство Корпус AG-EASY1BM-2
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id 5.5V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 620nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2000pF @ 800V