CSD86336Q3DT

CSD86336Q3DT — электронный компонент Texas Instruments, категория FET, массивы MOSFET. Характеристики: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON. Закупки и разработка могут сверить марку и параме

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
CSD86336Q3DT
Производитель:
Texas Instruments
Другие номера деталей:
-
Описание:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Спецификация:
-

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая температура -55°C ~ 125°C
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 20A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss) 25V
Корпус 8-PowerTDFN
Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Мощность - Максимальная 6W
Поставщик Устройство Корпус 8-VSON (3.3x3.3)
FET Особенности Logic Level Gate, 5V Drive
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (макс.) при Id 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V