BSO615CGXUMA1

BSO615CGXUMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория FET, массивы MOSFET. Характеристики: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8DSO. Закупки и разработка могут сверить марку и

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
BSO615CGXUMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8DSO
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация N and P-Channel
FET Особенности Logic Level Gate
Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
Поставщик Устройство Корпус PG-DSO-8
Мощность - Максимальная 2W (Ta)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3.1A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 20µA, 2V @ 450µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 380pF @ 25V, 460pF @ 25V