BFR949L3E6327

BFR949L3E6327 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Биполярные РЧ-транзисторы. Характеристики: RF TRANS NPN 10V 9GHZ PG-TSLP3-1. Закупки и разработка могут свери

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
BFR949L3E6327
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
RF TRANS NPN 10V 9GHZ PG-TSLP3-1
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Рабочая температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Поставщик Устройство Корпус PG-TSLP-3-1
Тип схемы Isolated
Коэффициент согласования резисторов -
Резисторное соотношение дрейфа -
Температурный коэффициент ±200ppm/°C
Высота - Установленная (Макс.) 0.028" (0.70mm)
Тип транзистора NPN
Ток коллектора (Ic) (макс.) 50mA
Допуск ±1%
Количество выводов 8
Мощность на элемент 125mW
Класс Automotive
Количество резисторов 4
Квалификация AEC-Q200
Размер / Габариты 0.200" L x 0.126" W (5.08mm x 3.20mm)
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 10V
Частота - Переход 9GHz
Сопротивление (Ом) 36k
Корпус 2012, Convex, Long Side Terminals
Мощность - Максимальная 250mW
Коэффициент усиления 21.5dB
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 6V
Приложения DDRAM, SDRAM
Коэффициент шума (дБ, тип. @ f) 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz