BFR949L3E6327
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TSLP-3-1 |
| Тип схемы | Isolated |
| Коэффициент согласования резисторов | - |
| Резисторное соотношение дрейфа | - |
| Температурный коэффициент | ±200ppm/°C |
| Высота - Установленная (Макс.) | 0.028" (0.70mm) |
| Тип транзистора | NPN |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 50mA |
| Допуск | ±1% |
| Количество выводов | 8 |
| Мощность на элемент | 125mW |
| Класс | Automotive |
| Количество резисторов | 4 |
| Квалификация | AEC-Q200 |
| Размер / Габариты | 0.200" L x 0.126" W (5.08mm x 3.20mm) |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 10V |
| Частота - Переход | 9GHz |
| Сопротивление (Ом) | 36k |
| Корпус | 2012, Convex, Long Side Terminals |
| Мощность - Максимальная | 250mW |
| Коэффициент усиления | 21.5dB |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 6V |
| Приложения | DDRAM, SDRAM |
| Коэффициент шума (дБ, тип. @ f) | 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz |