BFP196WE6327
Product Attributes
| Статус детали | Last Time Buy |
|---|---|
| Допуск | ±5% |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-SOT343-4 |
| Тип схемы | Isolated |
| Количество резисторов | 2 |
| Коэффициент согласования резисторов | - |
| Резисторное соотношение дрейфа | - |
| Количество выводов | 4 |
| Мощность на элемент | 62.5mW |
| Температурный коэффициент | ±200ppm/°C |
| Размер / Габариты | 0.063" L x 0.063" W (1.60mm x 1.60mm) |
| Тип транзистора | NPN |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q200 |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 12V |
| Мощность - Максимальная | 700mW |
| Корпус | SC-82A, SOT-343 |
| Сопротивление (Ом) | 4.3k |
| Высота - Установленная (Макс.) | 0.020" (0.50mm) |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 150mA |
| Приложения | DDRAM, SDRAM |
| Частота - Переход | 7.5GHz |
| Коэффициент шума (дБ, тип. @ f) | 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 8V |
| Коэффициент усиления | 12.5dB ~ 19dB |